Doorbraak! Kioxia heeft NAND-flashgeheugenproducten met 170 lagen ontwikkeld

De Nikkei Asian Review meldde dat dit nieuwe NAND-geheugen gezamenlijk werd ontwikkeld met Western Digital, een Amerikaanse partner, en dat de schrijfsnelheid van gegevens meer dan twee keer zo hoog is als die van het huidige topproduct van Kioxia (112 lagen).

Bovendien heeft Kioxia ook met succes meer geheugencellen geïnstalleerd op elke laag van de nieuwe NAND, wat betekent dat het in vergelijking met het geheugen met dezelfde capaciteit de chip met meer dan 30% kan verkleinen. Kleinere chips zorgen voor meer flexibiliteit bij de constructie van smartphones, servers en andere producten.

Naar verluidt is Kioxia van plan om zijn nieuwe NAND te lanceren op de lopende International Solid-State Circuit Conference, en zal naar verwachting al volgend jaar met massaproductie beginnen.

Met de opkomst van 5G-technologie en grotere schaal en snellere datatransmissie, hoopt Kioxia de vraag naar datacenters en smartphones aan te boren. De concurrentie op dit gebied is echter geïntensiveerd. Micron en SK Hynix hebben 176-lagen NAND aangekondigd vóór Kioxia.

Om de output van flash-geheugen te vergroten, zijn Kioxia en Western Digital van plan om dit voorjaar een fabriek van 1 biljoen yen ($ 9,45 miljard) te bouwen in Yokkaichi, Japan. Hun doel is om in 2022 de eerste productielijnen te openen. Daarnaast heeft Kioxia naast de Kitakami-fabriek in Japan ook veel fabrieken verworven om de productiecapaciteit naar behoefte in de toekomst uit te breiden.