Samsung is van plan om binnen drie jaar V-dram in massaproductie te produceren om SK Hynix in te halen

Volgens Zuid-Koreaanse media-outlet sedaily heeft Samsung Electronics zijn blauwdruk afgerond aan massaproductie "Vertical Channel Transistor (VCT) DRAM"-een geheugentechnologie van de volgende generatie-de komende drie jaar.Werelaars in de industrie geloven dat deze stap de ambitie van Samsung weerspiegelt om rivaal SK Hynix te overtreffen door één technologische generatie en zijn leiderschapsstatus in de geheugensector terug te vorderen.

VCT DRAM verwijst naar een soort geheugen waarbij de transistoren die de stroomregeling regelen verticaal zijn gerangschikt in plaats van horizontaal.Deze structuur zorgt voor dichtere transistorverpakking en hogere geheugencapaciteit, waardoor het een potentiële game-wisselaar is.Het produceren van VCT DRAM is echter veel complexer dan traditioneel vlakke dram.Het omvat niet alleen uitdagende front-end processen op waferniveau, maar ook geavanceerde verpakkingstechnologieën die nooit zijn gebruikt in de conventionele DRAM-productie, met belangrijke technische hindernissen.

Momenteel produceert Samsung zijn vijfde-generatie 10 nm-klasse dram en wil later dit jaar beginnen met de productie van zijn zesde generatie.Met zijn zevende-generatie DRAM-ontwikkelingsroute voor volgend jaar, heeft het bedrijf VCT DRAM gekozen om door te gaan met een conventionele 1e (achtste generatie) procestechnologie-het signaleren van een verschuiving naar een meer agressieve en toekomstgerichte strategie.

SK Hynix daarentegen plant een meer incrementeel pad, gericht op de zevende-generatie DRAM eerst, gevolgd door de eerste generatie 1A-klasse dram, en introduceert uiteindelijk verticaal DRAM (VG).Als Samsung op schema blijft, is dit de eerste die het tijdperk van V-Dram inluidt en een kritische voorsprong krijgt.

Rapporten geven ook aan dat Samsung zijn teams heeft samengevoegd die verantwoordelijk zijn voor de vroege ontwikkeling van de achtste generatie DRAM met degenen die aan de zevende generatie werken, waardoor inspanningen worden geconsolideerd om de vooruitgang te versnellen.

Experts uit de industrie verwachten dat fysieke VCT DRAM -producten binnen twee tot drie jaar kunnen verschijnen.Aangezien Samsung recent achterop is geraakt in bepaalde DRAM -segmenten, wordt deze strategische pivot gezien als een poging om zijn trots en leiderschap te herstellen door technologische superioriteit.

Op de vraag naar de ontwikkeling antwoordde Samsung dat het "geen specifieke DRAM -productplannen heeft afgerond."