SK hynix is ​​van plan om volgend jaar ultrasnelle DRAM in massa te produceren, die kan worden gebruikt voor AI en superberekening.

Volgens BusinessKorea heeft SK hynix op 12 augustus aangekondigd dat het HBM2EDRAM heeft ontwikkeld, een geheugen halfgeleider met hoge bandbreedte die kan worden gebruikt in kunstmatige intelligentie (AI) apparaten en supercomputers.

Het bedrijf zei dat zijn nieuwe chip de hoogste snelheid in de industrie heeft. De HBM2E ondersteunt meer dan 460 GB bandbreedte per seconde, gebaseerd op 3,6 Gbps snelheidsprestaties per pin en 1.024 data-I / O's, wat 50% hoger is dan de HBM2DRAM van het bedrijf een jaar geleden ontwikkeld.

Eind december 2013 ontwikkelde SK hynix 's werelds eerste HBM (geheugen met hoge bandbreedte) met vier stadia van gestapelde DRAM.

Het is duidelijk dat SK hynix een geheugenpakket van 16 GB heeft ontwikkeld door acht chips van 16 GB verticaal te stapelen met behulp van "via silicium via" (TSV) technologie. SK hynix start in massaproductie van nieuwe chips in 2020. Nieuwe geheugenproducten worden voornamelijk gebruikt voor grafische kaarten, supercomputers, AI's en servers die geheugen met hoge snelheid en hoge prestaties vereisen.

SK hynix is ​​van plan met HBM2EDRAM het voortouw te nemen in de volgende-generatie geheugenhalfgeleidermarkt. De DRAM-omzet in het tweede kwartaal bedroeg $ 4,26 miljard, goed voor 28,7% van de wereldmarkt.

"Sinds de release van 's werelds eerste HBMDRAM in 2013 wordt SK hynix gedomineerd door technologieconcurrentievermogen," zei JeonJun-hyun, die verantwoordelijk is voor de HBM-bedrijfsstrategie van het bedrijf. “Volgend jaar starten we met de massaproductie van HBM2E en zullen we onze aanwezigheid blijven versterken. Technische voordelen in de markt. & Quot;